乙二胺四甲叉膦酸（EDTMPA）在半导体芯片制造中主要用作化学机械抛光（CMP）浆料的络合剂和清洗液的腐蚀抑制剂，利用其极强的金属螯合能力来调控材料去除速率并保护金属表面。
化学机械抛光（CMP）中的络合剂
在芯片制造的后段工艺中，EDTMPA被用于抛光阻挡层和金属互连材料，通过络合反应加速特定金属的去除。
TSV阻挡层抛光（钽 Ta）：在硅通孔（TSV）的钽基阻挡层抛光中，EDTMPA作为络合剂，能与钽的氧化物（TaO₄³⁻）形成可溶性络合物，从而加速钽的去除。研究表明，当EDTMPA浓度从0.5%提升至2 wt%时，钽的去除速率可从696 Å/min显著提高至1533 Å/min，同时与铜的速率选择比达到2.73:1。
钴（Co）互连抛光：在钴的CMP浆料中，EDTMPA能与Co离子有效络合，将其氧化为可溶性的Co(III)-EDTMPA络合物，从而加速钴的去除。一种含有10 mM EDTMPA的浆料可实现246 nm/min的钴去除率，并维持较好的表面质量（粗糙度Sq = 2.31 nm）。
清洗液中的腐蚀抑制剂
在去除光刻胶、蚀刻残留物等清洗工序中，EDTMPA常被用作腐蚀抑制组分，保护暴露的金属层（如钨、铜）免受清洗液的过度侵蚀。
抑制金属腐蚀：在含硫酸、过氧化氢和氟化物的清洗液中，添加少量的EDTMPA（通常为0.0001 wt% 至 0.1 wt%）即可作为腐蚀抑制剂，有效保护钨和氧化物层，防止其被过度蚀刻。
增强金属去除：同时，EDTMPA作为一种金属螯合剂，能够将溶解到溶液中的金属离子（如铜离子）牢牢抓住，防止它们重新沉积到晶圆表面，从而帮助更彻底地去除金属残留物。
电子级EDTMPA通常要求高纯度，对重金属杂质（如铁）有严格限制，部分产品可定制至低于1000 ppb的水平，以满足先进制程对污染控制的要求。
